© IEMN/CNRS Images
Reference
20120001_0097
Surface de silicium à l'échelle atomique (protrusions jaunes). L'arrangement atomique est induit par
Surface de silicium à l'échelle atomique (protrusions jaunes). L'arrangement atomique est induit par la forte concentration d'impuretés de bore que contient le substrat de silicium. Certaines impuretés situées quelques plans atomiques sous la surface modifie le potentiel de surface. Elles génèrent une légère dépression (contraste rouge) qui se superpose au réseau d'atomes. L'atome vert correspond à un défaut atomique. Cette image a été obtenue par microscopie à effet tunnel à basse température (4K).
Add to my selection
Terms of use
The use of media visible on the CNRS Images Platform can be granted on request. Any reproduction or representation is forbidden without prior authorization from CNRS Images (except for resources under Creative Commons license).
No modification of an image may be made without the prior consent of CNRS Images.
No use of an image for advertising purposes or distribution to a third party may be made without the prior agreement of CNRS Images.
For more information, please consult our general conditions
