Groupe d'études de la matière condensée (GEMaC)

Plasma d'hydrogène et de méthane utilisé pour la fabrication du diamant. La couleur violette du plasma provient de la désexcitation des atomes d'hydrogène. A travers le hublot du réacteur, on peut voir également un diamant synthétique de 2 mm de coté reposant sur un support métallique porté au rouge (850 °C). Le diamant est un semiconducteur très prometteur pour les prochaines générations de composants électroniques et de détecteurs. L'objectif est aujourd'hui de contrôler la conductivité…

Chambre de dépôt en phase vapeur utilisé pour la fabrication du diamant. Le méthane, source de carbone, et l'hydrogène, catalyseur du dépôt, sont rendus réactifs par un plasma micro-ondes. Sous faible pression (50 mbar) et haute température (800-900 °C) des couches minces de diamant sont alors synthétisées à des vitesses de l'ordre du micromètre par heure. Le diamant est un semiconducteur très prometteur pour les prochaines générations de composants électroniques et de détecteurs. Ce réacteur…

Réacteur de dépôt en phase vapeur utilisé pour la fabrication du diamant. Le méthane, source de carbone, et l'hydrogène, catalyseur du dépôt, sont rendus réactifs par un plasma micro-ondes. Sous faible pression (50 mbar) et haute température (800-900 °C) des couches minces de diamant sont alors synthétisées à des vitesses de l'ordre du micromètre par heure. Le diamant est un semiconducteur très prometteur pour les prochaines générations de composants électroniques et de détecteurs. Ce réacteur…

Plasma d'hydrogène et de méthane utilisé pour la fabrication du diamant. La couleur violette du plasma provient de la désexcitation des atomes d'hydrogène. A travers le hublot du réacteur, on peut voir également un diamant synthétique de 2 mm de coté reposant sur un support métallique porté au rouge (850 °C). Le diamant est un semiconducteur très prometteur pour les prochaines générations de composants électroniques et de détecteurs. L'objectif est aujourd'hui de contrôler la conductivité…

Système de dépôt en phase vapeur utilisé pour la fabrication du diamant. Le méthane, source de carbone, et l'hydrogène, catalyseur du dépôt, sont rendus réactifs par un plasma micro-ondes. Sous faible pression (50 mbar) et haute température (800-900 °C) des couches minces de diamant sont alors synthétisées à des vitesses de l'ordre du micromètre par heure. Le diamant est un semiconducteur très prometteur pour les prochaines générations de composants électroniques et de détecteurs. Ce réacteur…

Réacteur de dépôt en phase vapeur utilisé pour la fabrication du diamant. Le méthane, source de carbone, et l'hydrogène, catalyseur du dépôt, sont rendus réactifs par un plasma micro-ondes. Sous faible pression (50 mbar) et haute température (800-900 °C) des couches minces de diamant sont alors synthétisées à des vitesses de l'ordre du micromètre par heure. Le diamant est un semiconducteur très prometteur pour les prochaines générations de composants électroniques et de détecteurs. Ce réacteur…

Chambre de dépôt en phase vapeur utilisé pour la fabrication du diamant. Le méthane, source de carbone, et l'hydrogène, catalyseur du dépôt, sont rendus réactifs par un plasma micro-ondes. Sous faible pression (50 mbar) et haute température (800-900 °C) des couches minces de diamant sont alors synthétisées à des vitesses de l'ordre du micromètre par heure. Le diamant est un semiconducteur très prometteur pour les prochaines générations de composants électroniques et de détecteurs. Ce réacteur…

Système de dépôt en phase vapeur utilisé pour la fabrication du diamant. Le méthane, source de carbone, et l'hydrogène, catalyseur du dépôt, sont rendus réactifs par un plasma micro-ondes. Sous faible pression (50 mbar) et haute température (800-900 °C) des couches minces de diamant sont alors synthétisées à des vitesses de l'ordre du micromètre par heure. Le diamant est un semiconducteur très prometteur pour les prochaines générations de composants électroniques et de détecteurs. Ce réacteur…