
© Emmanuel PERRIN/CNRS Images
Vue latérale de l'arrière de la chambre d'épitaxie dédiée aux semi-conducteurs constitués d'éléments
Référence
20090001_1205
Année de production
2009
Taille maximale
36.31 x 24.11 cm / 300 dpi
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Vue latérale de l'arrière de la chambre d'épitaxie dédiée aux semi-conducteurs constitués d'éléments des colonnes II et VI du tableau de Mendeleïev (comme par exemple le cadmium et le tellure). On voit en particulier les différentes cellules d'effusion raccordées sur la chambre d'ultravide, contenant les matériaux utilisés pour la croissance des structures (Mn, Mg, Zn, Cd, Se, Te), les moteurs de contrôle d'ouverture des caches en sortie de cellules, et les connections des thermocouples de contrôle. L'étude porte sur les nouveaux effets physiques liés à la dimension nanométrique des objets étudiés.