Vue latérale de l'arrière de la chambre d'épitaxie dédiée aux semi-conducteurs constitués d'éléments

Vue latérale de l'arrière de la chambre d'épitaxie dédiée aux semi-conducteurs constitués d'éléments des colonnes II et VI du tableau de Mendeleïev (comme par exemple le cadmium et le tellure). On voit en particulier les différentes cellules d'effusion raccordées sur la chambre d'ultravide, contenant les matériaux utilisés pour la croissance des structures (Mn, Mg, Zn, Cd, Se, Te), les moteurs de contrôle d'ouverture des caches en sortie de cellules, et les connections des thermocouples de contrôle. L'étude porte sur les nouveaux effets physiques liés à la dimension nanométrique des objets étudiés.