© Jean-Luc MAURICE/THALES/CNRS Images
Référence
20030001_1375
Image de microscopie électronique en transmission d'une jonction tunnel à base d'oxydes conducteurs
Image de microscopie électronique en transmission d'une jonction tunnel à base d'oxydes conducteurs magnétiques La0,67Sr0,33MnO3/SrTiO3/ La0,67Sr0,33MnO3. On peut voir la quasi perfection de la structure grâce à la résolution atomique. Des effets de magnétorésistance tunnel (TMR) d'environ 1800% ont été obtenus dans ce type de jonctions. La magnétorésistance tunnel aura des applications importantes pour la réalisation de mémoires électroniques (technologie des ordinateurs).
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