Zoom d'un circuit Driver réalisé dans une technologie submicromètreique 50V

Zoom d'un circuit Driver réalisé dans une technologie submicromètreique (inférieure à un micromètre) 50V (laboratoire LAPLACE). Ce circuit est composé de deux transistors à effet de champ à grille isolée (MOSFET) complémentaires (à gauche). Il permet d’une part d’adapter les niveaux de tension pour piloter un transistor bipolaire à grille isolée (IGBT) externe, et d’autre part de délivrer un courant suffisamment élevé (1 à 3 A) pour accélérer les commutations. Les électroniques (situé au centre et à droite de la figure) sont constituées de nombreux transistors plus petits, nécessaires pour le contrôle rapproché des deux transistors.