Année de production
2009
© Emmanuel PERRIN/CNRS Images
Référence
20090001_1220
Bati d'épitaxie par jets moléculaires dédié à la croissance de nitrure de gallium (GaN). Contrôle du
Bati d'épitaxie par jets moléculaires dédié à la croissance de nitrure de gallium (GaN). Contrôle du positionnement de l'échantillon.
Ajouter à ma sélection
Conditions d'utilisation
L’utilisation des médias visibles sur la Plateforme CNRS Images peut être accordée sur demande. Toute reproduction ou représentation est interdite sans l'autorisation préalable de CNRS Images (sauf pour les ressources sous licence Creative Commons).
Aucune modification d'une image ne peut être effectuée sans l'accord préalable de CNRS Images.
Aucune utilisation à des fins publicitaires ou diffusion à un tiers d'une image ne peut être effectuée sans l'accord préalable de CNRS Images.
Pour plus de précisions consulter Nos conditions générales
