Légende
Bati d'épitaxie par jets moléculaires dédié à la croissance de nitrure de gallium (GaN). Contrôle du positionnement de l'échantillon.
© Emmanuel PERRIN/CNRS Images
Bati d'épitaxie par jets moléculaires dédié à la croissance de nitrure de gallium (GaN). Contrôle du
Référence
20090001_1220
Année de production
2009
Taille maximale
36.31 x 24.11 cm / 300 dpi
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