20090001_1220
© Emmanuel PERRIN/CNRS Images

Bati d'épitaxie par jets moléculaires dédié à la croissance de nitrure de gallium (GaN). Contrôle du

Référence

20090001_1220

Année de production

2009

Taille maximale

36.31 x 24.11 cm / 300 dpi

Légende

Bati d'épitaxie par jets moléculaires dédié à la croissance de nitrure de gallium (GaN). Contrôle du positionnement de l'échantillon.

Institut(s)

Délégation(s)

Thématiques scientifiques

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