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Reference
20220104_0035
Insertion d’un substrat silicium dans un réacteur de gravure par couplage inductif
Scène de vie dans la centrale technologique NanoRennes de l’Institut d'électronique et des technologies du numérique (IETR). Au second plan, un ingénieur prépare des échantillons, tandis qu’au premier plan l’expérimentateur insère une navette porte substrat (de format 150 mm) dans le bras de chargement robotisé du réacteur de gravure par couplage inductif. L’expérimentateur va réaliser une gravure profonde de silicium par procédé "Bosch" en utilisant un masquage en oxyde de silicium. Cette méthode permettra de graver le silicium avec un fort rapport d'aspect à des vitesse de 2 à 4 µm par minutes.
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