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Reference
20120001_1121
Transfert d'un échantillon dans un bâti d'épitaxie par jets moléculaires
Transfert d'un échantillon dans un bâti d'épitaxie par jets moléculaires. Un substrat de semiconducteur III-V (GaAs arséniure de gallium ou InP phosphure d'indium) est introduit dans le système via le sas, visible en bas à gauche. Après pompage du sas, l'opératrice transfère cet échantillon vers le module suivant. L'échantillon est alors chauffé sous vide afin de se débarrasser des gaz adsorbés à sa surface avant l'étape d'épitaxie. Les échantillons ainsi élaborés servent à réaliser des dispositifs pour l'électronique et la photonique.
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