Année de production
2012
© Cyril FRESILLON/CNRS Images
20120001_1700
Installation de couches minces d'oxyde de zinc dans une cellule de mesures électriques. La cellule sera ensuite insérée dans un appareil de mesure de l'effet Hall à haute température et haute impédance. L'objectif est de mesurer la résistivité, la concentration de porteurs de charge et leur mobilité. Les échantillons étudiés sont des semiconducteurs à grand gap (ou à large bande interdite) et des oxydes.
L’utilisation des médias visibles sur la Plateforme CNRS Images peut être accordée sur demande. Toute reproduction ou représentation est interdite sans l'autorisation préalable de CNRS Images (sauf pour les ressources sous licence Creative Commons).
Aucune modification d'une image ne peut être effectuée sans l'accord préalable de CNRS Images.
Aucune utilisation à des fins publicitaires ou diffusion à un tiers d'une image ne peut être effectuée sans l'accord préalable de CNRS Images.
Pour plus de précisions consulter Nos conditions générales
2012
Nous mettons en images les recherches scientifiques pour contribuer à une meilleure compréhension du monde, éveiller la curiosité et susciter l'émerveillement de tous.