Année de production
2011
© Cyril FRESILLON/CNRS Images
20110001_0903
Insertion d'un porte-échantillon contenant un dispositif de type transistor à effet de champ, à base de graphène, dans un cryostat. La résistivité du dispositif, en fonction de la température et du nombre de porteurs de courant, régulée par la tension de grille du transistor, est mesurée dans le cryostat. Le but est ainsi de rechercher des transitions de phase dans le graphène. Ces transitions sont intéressantes à cause du caractère parfaitement bi-dimensionnel du matériau.
L’utilisation des médias visibles sur la Plateforme CNRS Images peut être accordée sur demande. Toute reproduction ou représentation est interdite sans l'autorisation préalable de CNRS Images (sauf pour les ressources sous licence Creative Commons).
Aucune modification d'une image ne peut être effectuée sans l'accord préalable de CNRS Images.
Aucune utilisation à des fins publicitaires ou diffusion à un tiers d'une image ne peut être effectuée sans l'accord préalable de CNRS Images.
Pour plus de précisions consulter Nos conditions générales
2011
Nous mettons en images les recherches scientifiques pour contribuer à une meilleure compréhension du monde, éveiller la curiosité et susciter l'émerveillement de tous.