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Reference
20110001_0903
Insertion d'un porte-échantillon contenant un dispositif de type transistor à effet de champ, à base
Insertion d'un porte-échantillon contenant un dispositif de type transistor à effet de champ, à base de graphène, dans un cryostat. La résistivité du dispositif, en fonction de la température et du nombre de porteurs de courant, régulée par la tension de grille du transistor, est mesurée dans le cryostat. Le but est ainsi de rechercher des transitions de phase dans le graphène. Ces transitions sont intéressantes à cause du caractère parfaitement bi-dimensionnel du matériau.
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