Année de production
2010
© Pierre GRECH/CNRS Images
Référence
20100001_0880
Image de microscopie à force atomique (AFM), colorisée en vert, de 5 µm x 5 µm. Croissance par épita
Image de microscopie à force atomique (AFM), colorisée en vert, de 5 µm x 5 µm. Croissance par épitaxie par jets moléculaires (EJM) d'une couche de GaSb (antimoniure de gallium) sur un substrat monocristallin de GaAs (arséniure de gallium). Les figures pyramidales correspondent à des dislocations vis (défauts du réseau cristallin). L'épaisseur de chaque plan est de 0,3 nm. Le GaSb est utilisé pour la fabrication de diodes lasers et de photo détecteurs sensibles dans la gamme moyen infrarouge.
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