Face arrière de la chambre d'épitaxie dédiée aux semi-conducteurs constitués d'éléments des colonnes

Face arrière de la chambre d'épitaxie dédiée aux semi-conducteurs constitués d'éléments des colonnes II et VI du tableau de Mendeleïev (comme par exemple le cadmium et le tellure). Sur la chambre d'ultravide sont raccordés différents éléments : cellules d'effusion contenant les matériaux utilisés pour la croissance des structures (Mn, Mg, Zn, Cd, Se, Te), moteurs de contrôle d'ouverture des caches en sortie de cellules, thermocouples et cellule à plasma d'azote pour le dopage des matériaux avec un excès de charges positives. L'étude porte sur les nouveaux effets physiques liés à la dimension nanométrique des objets étudiés.