Année de production
2005
© Jérôme CHATIN/CNRS Images
Référence
20050001_0400
Chargement d'un substrat de GaAs (arséniure de gallium) dans un système ultra-vide d'épitaxie par je
Chargement d'un substrat de GaAs (arséniure de gallium) dans un système ultra-vide d'épitaxie par jets moléculaires (EJM). Cette technique permet de déposer sur ce substrat de fines couches semiconductrices avec une précision de quelques plans atomiques (de l'ordre du nanomètre).
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