Année de production
2005
© Jérôme CHATIN/CNRS Images
Référence
20050001_0385
Chargement de substrats d'arséniure de gallium (GaAs) dans un système de croissance par épitaxie par
Chargement de substrats d'arséniure de gallium (GaAs) dans un système de croissance par épitaxie par jets moléculaires (EJM) sous ultra-vide. Cette technique permet de déposer sur ces substrats de fines couches semiconductrices avec une précision de quelques plans atomiques (de l'ordre du nanomètre).
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