
© Jérôme CHATIN/CNRS Photothèque
Chargement de substrats d'arséniure de gallium (GaAs) dans un système de croissance par épitaxie par
Reference
20050001_0385
Production year
2005
Max. size
25.47 x 16.59 cm / 300 dpi
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Chargement de substrats d'arséniure de gallium (GaAs) dans un système de croissance par épitaxie par jets moléculaires (EJM) sous ultra-vide. Cette technique permet de déposer sur ces substrats de fines couches semiconductrices avec une précision de quelques plans atomiques (de l'ordre du nanomètre).