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20220116_0084
© Cyril FRESILLON / IPVF / CNRS Images

Préparation d'un échantillon CIGS pour traitement thermique sous atmosphère de soufre

Reference

20220116_0084

Production year

2022

Max. size

27.77 x 41.72 cm / 300 dpi

Caption

Préparation d'un échantillon à base de cuivre, indium, gallium, sélénium et soufre (CIGS) pour un traitement thermique sous atmosphère de soufre. Les technologies de traitements thermiques sont particulièrement importantes pour les procédés semiconducteurs. Avant de mettre un échantillon dans un four, il est souvent nécessaire de l'insérer dans une enceinte en graphite qui résiste aux hautes températures. Cette petite enceinte prévient une pollution potentielle du four et renforce l'homogénéité du recuit. Le soufre ne pouvant pas être déposé directement durant la croissance du matériau, cette étape est nécessaire pour assurer sa diffusion dans les couches minces photovoltaïques.

Research program(s)

CNRS Institute(s)

Regional office(s)

Scientific topics

CNRS Images,

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