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Étape de rinçage de substrats de verre couverts de molybdène après électrodépôt de couches minces de cuivre (Cu), indium (In) et gallium (Ga). Cette technique est basée sur la réduction de cations métalliques en solution. Ici, les cuves sont optimisées pour le dépôt d’alliages de type CIG (cuivre-indium-gallium), précurseur du matériau absorbeur de cellules solaires de type CIGS (cuivre-indium-gallium-soufre-sélénium), à l’échelle pré-industrielle.

Étape de rinçage de substrats de verre couverts de molybdène après électrodépôt de couches minces de cuivre (Cu), indium (In) et gallium (Ga). Cette technique est basée sur la réduction de cations métalliques en solution. Ici, les cuves sont optimisées pour le dépôt d’alliages de type CIG (cuivre-indium-gallium), précurseur du matériau absorbeur de cellules solaires de type CIGS (cuivre-indium-gallium-soufre-sélénium), à l’échelle pré-industrielle.

Chargement d'échantillons dans un bâti de dépôt de couches minces par pulvérisation cathodique. Ce dépôt physique est contrôlé par cinq paramètres essentiels : la pression dans la chambre, la puissance nominale appliquée à la cible, la distance interélectrode (cible-substrat) et la température du substrat. Il permet notamment le dépôt de matériaux transparents et conducteurs ainsi que des métaux, pouvant être utilisés comme électrodes de cellules solaires.

Chargement d'échantillons dans un bâti de dépôt de couches minces par pulvérisation cathodique. Ce dépôt physique est contrôlé par cinq paramètres essentiels : la pression dans la chambre, la puissance nominale appliquée à la cible, la distance interélectrode (cible-substrat) et la température du substrat. Il permet notamment le dépôt de matériaux transparents et conducteurs ainsi que des métaux, pouvant être utilisés comme électrodes de cellules solaires.

Chargement d'échantillons dans un bâti de dépôt de couches minces par pulvérisation cathodique. Ce dépôt physique est contrôlé par cinq paramètres essentiels : la pression dans la chambre, la puissance nominale appliquée à la cible, la distance interélectrode (cible-substrat) et la température du substrat. Il permet notamment le dépôt de matériaux transparents et conducteurs ainsi que des métaux, pouvant être utilisés comme électrodes de cellules solaires.

Sortie d'un échantillon après dépôt par pulvérisation cathodique d’une couche de molybdène sur un substrat de verre. Ce dépôt physique est contrôlé par cinq paramètres essentiels : la pression dans la chambre, la puissance nominale appliquée à la cible, la distance interélectrode (cible-substrat) et la température du substrat. Il permet notamment le dépôt de matériaux transparents et conducteurs ainsi que des métaux, pouvant être utilisés comme électrodes de cellules solaires.

Sortie d'un échantillon après dépôt par pulvérisation cathodique d’une couche de molybdène sur un substrat de verre. Ce dépôt physique est contrôlé par cinq paramètres essentiels : la pression dans la chambre, la puissance nominale appliquée à la cible, la distance interélectrode (cible-substrat) et la température du substrat. Il permet notamment le dépôt de matériaux transparents et conducteurs ainsi que des métaux, pouvant être utilisés comme électrodes de cellules solaires.

Cellules photovoltaïques en CIGS (matériau à base de cuivre, d'indium, de gallium, de sélénium et de soufre) sous un simulateur solaire, qui permet la mesure du rendement de conversion de l'énergie lumineuse en énergie électrique d’un dispositif photovoltaïque. Cette plaque contient 162 cellules photovoltaïques à base de couches minces de Cu(In,Ga)(S,Se)2 (CIGS). Toutes ces cellules sont caractérisées par mesure courant-tension (I-V) à une température contrôlée de 25 °C et sous une illumination…

Cellules photovoltaïques en CIGS (matériau à base de cuivre, d'indium, de gallium, de sélénium et de soufre) sous un simulateur solaire, qui permet la mesure du rendement de conversion de l'énergie lumineuse en énergie électrique d’un dispositif photovoltaïque. Cette plaque contient 162 cellules photovoltaïques à base de couches minces de Cu(In,Ga)(S,Se)2 (CIGS). Toutes ces cellules sont caractérisées par mesure courant-tension (I-V) à une température contrôlée de 25 °C et sous une illumination…

Cellules photovoltaïques en CIGS (matériau à base de cuivre, d'indium, de gallium, de sélénium et de soufre) sous un simulateur solaire, qui permet la mesure du rendement de conversion de l'énergie lumineuse en énergie électrique d’un dispositif photovoltaïque. Cette plaque contient 162 cellules photovoltaïques à base de couches minces de Cu(In,Ga)(S,Se)2 (CIGS). Toutes ces cellules sont caractérisées par mesure courant-tension (I-V) à une température contrôlée de 25 °C et sous une illumination…

Cellules photovoltaïques en CIGS (matériau à base de cuivre, d'indium, de gallium, de sélénium et de soufre) sous un simulateur solaire, qui permet la mesure du rendement de conversion de l'énergie lumineuse en énergie électrique d’un dispositif photovoltaïque. Cette plaque contient 162 cellules photovoltaïques à base de couches minces de Cu(In,Ga)(S,Se)2 (CIGS). Toutes ces cellules sont caractérisées par mesure courant-tension (I-V) à une température contrôlée de 25 °C et sous une illumination…

Cellules photovoltaïques en CIGS (matériau à base de cuivre, d'indium, de gallium, de sélénium et de soufre) sous un simulateur solaire, qui permet la mesure du rendement de conversion de l'énergie lumineuse en énergie électrique d’un dispositif photovoltaïque. Cette plaque contient 162 cellules photovoltaïques à base de couches minces de Cu(In,Ga)(S,Se)2 (CIGS). Toutes ces cellules sont caractérisées par mesure courant-tension (I-V) à une température contrôlée de 25 °C et sous une illumination…

Cellules photovoltaïques en CIGS (matériau à base de cuivre, d'indium, de gallium, de sélénium et de soufre) sous un simulateur solaire, qui permet la mesure du rendement de conversion de l'énergie lumineuse en énergie électrique d’un dispositif photovoltaïque. Cette plaque contient 162 cellules photovoltaïques à base de couches minces de Cu(In,Ga)(S,Se)2 (CIGS). Toutes ces cellules sont caractérisées par mesure courant-tension (I-V) à une température contrôlée de 25 °C et sous une illumination…

Cellules photovoltaïques à base de cuivre, d'indium, de gallium, de sélénium et de soufre (Cu(In,Ga)(S,Se)2), aussi appelé CIGS, déposées sur 15 X 15 cm2. Cette plaque photovoltaïque à base de couches minces de CIGS est constituée de 162 cellules solaires déposées sur un substrat de verre. Ce grand nombre de cellules permet une approche statistique de la mesure des performances photovoltaïques. Ces cellules peuvent par exemple trouver des applications dans les systèmes flexibles ou dans des…

Cellules photovoltaïques à base de cuivre, d'indium, de gallium, de sélénium et de soufre (Cu(In,Ga)(S,Se)2), aussi appelé CIGS, déposées sur 15 X 15 cm2. Cette plaque photovoltaïque à base de couches minces de CIGS est constituée de 162 cellules solaires déposées sur un substrat de verre. Ce grand nombre de cellules permet une approche statistique de la mesure des performances photovoltaïques. Ces cellules peuvent par exemple trouver des applications dans les systèmes flexibles ou dans des…

Cellules photovoltaïques à base de cuivre, d'indium, de gallium, de sélénium et de soufre (Cu(In,Ga)(S,Se)2), aussi appelé CIGS, déposées sur 15 X 15 cm2. Cette plaque photovoltaïque à base de couches minces de CIGS est constituée de 162 cellules solaires déposées sur un substrat de verre. Ce grand nombre de cellules permet une approche statistique de la mesure des performances photovoltaïques. Ces cellules peuvent par exemple trouver des applications dans les systèmes flexibles ou dans des…

Salle de caractérisation optoélectronique de l’Institut photovoltaïque d’Ile-de-France (IPVF). Dans cette pièce, les dispositifs photovoltaïques sont caractérisés électriquement, optiquement et opto-électroniquement. Toutes les technologies étudiées à l'IPVF (pérovskites, CIGS, III-V, silicium et tandems) sont évaluées pour des surfaces allant de quelques mm² à 20 x 20 cm². Au-delà de ces domaines d'expertise, ces outils sont ouverts à de nombreux projets collaboratifs.

Banc de caractérisation de photoluminescence résolue spatialement, spectralement et temporellement. La TR-FLIM (Time resolved-fluorescence imaging, en français "Imagerie de fluorescence résolue en temps") est un banc optique monté à l’Institut photovoltaïque d’Ile-de-France (IPVF) qui permet de caractériser des cellules photovoltaïques complètes ou chacun des matériaux qui les constituent. Des images de l’échantillon sont acquises à des intervalles de l'ordre de la picoseconde. Une…

Banc de caractérisation de photoluminescence résolue spatialement, spectralement et temporellement. La TR-FLIM (Time resolved-fluorescence imaging, en français "Imagerie de fluorescence résolue en temps") est un banc optique monté à l’Institut photovoltaïque d’Ile-de-France (IPVF) qui permet de caractériser des cellules photovoltaïques complètes ou chacun des matériaux qui les constituent. Des images de l’échantillon sont acquises à des intervalles de l'ordre de la picoseconde. Une…

Banc de caractérisation de photoluminescence résolue spatialement, spectralement et temporellement. La TR-FLIM (Time resolved-fluorescence imaging, en français "Imagerie de fluorescence résolue en temps") est un banc optique monté à l’Institut photovoltaïque d’Ile-de-France (IPVF) qui permet de caractériser des cellules photovoltaïques complètes ou chacun des matériaux qui les constituent. Des images de l’échantillon sont acquises à des intervalles de l'ordre de la picoseconde. Une…

Banc de caractérisation de photoluminescence résolue spatialement, spectralement et temporellement. La TR-FLIM (Time resolved-fluorescence imaging, en français "Imagerie de fluorescence résolue en temps") est un banc optique monté à l’Institut photovoltaïque d’Ile-de-France (IPVF) qui permet de caractériser des cellules photovoltaïques complètes ou chacun des matériaux qui les constituent. Des images de l’échantillon sont acquises à des intervalles de l'ordre de la picoseconde. Une…

Banc de caractérisation de photoluminescence résolue spatialement, spectralement et temporellement. La TR-FLIM (Time resolved-fluorescence imaging, en français "Imagerie de fluorescence résolue en temps") est un banc optique monté à l’Institut photovoltaïque d’Ile-de-France (IPVF) qui permet de caractériser des cellules photovoltaïques complètes ou chacun des matériaux qui les constituent. Des images de l’échantillon sont acquises à des intervalles de l'ordre de la picoseconde. Une…

Banc de caractérisation de luminescence monté à l’Institut photovoltaïque d’Ile-de-France (IPVF). Ce banc optique permet de caractériser des cellules photovoltaïques complètes ou chacun des matériaux qui les constituent. La luminescence (photoluminescence ou électroluminescence) des échantillons est mesurée pour accéder aux propriétés physiques fondamentales des cellules (mobilité des porteurs, quasi-niveaux de fermi, longueurs de diffusion…). De larges gammes d'excitation et de collecte sont…

Banc de caractérisation de luminescence monté à l’Institut photovoltaïque d’Ile-de-France (IPVF). Ce banc optique permet de caractériser des cellules photovoltaïques complètes ou chacun des matériaux qui les constituent. La luminescence (photoluminescence ou électroluminescence) des échantillons est mesurée pour accéder aux propriétés physiques fondamentales des cellules (mobilité des porteurs, quasi-niveaux de fermi, longueurs de diffusion…). De larges gammes d'excitation et de collecte sont…

Banc de caractérisation de luminescence hyperspectrale grand champ. Ce banc optique permet de caractériser des cellules photovoltaïques complètes ou chacun des matériaux qui les constituent sur une surface pouvant atteindre 18 x 18 cm². La luminescence (photoluminescence ou électroluminescence) des cellules est collectée par un filtre hyperspectral qui permet d’obtenir des images dont chaque pixel correspond à un spectre. Son grand champ de vision permet de caractériser l’homogénéité de…

Banc de caractérisation de luminescence hyperspectrale grand champ. Ce banc optique permet de caractériser des cellules photovoltaïques complètes ou chacun des matériaux qui les constituent sur une surface pouvant atteindre 18 x 18 cm². La luminescence (photoluminescence ou électroluminescence) des cellules est collectée par un filtre hyperspectral qui permet d’obtenir des images dont chaque pixel correspond à un spectre. Son grand champ de vision permet de caractériser l’homogénéité de…

Banc de caractérisation de luminescence hyperspectrale grand champ. Ce banc optique permet de caractériser des cellules photovoltaïques complètes ou chacun des matériaux qui les constituent sur une surface pouvant atteindre 18 x 18 cm². La luminescence (photoluminescence ou électroluminescence) des cellules est collectée par un filtre hyperspectral qui permet d’obtenir des images dont chaque pixel correspond à un spectre. Son grand champ de vision permet de caractériser l’homogénéité de…

Banc de caractérisation de luminescence hyperspectrale grand champ. Ce banc optique permet de caractériser des cellules photovoltaïques complètes ou chacun des matériaux qui les constituent sur une surface pouvant atteindre 18 x 18 cm². La luminescence (photoluminescence ou électroluminescence) des cellules est collectée par un filtre hyperspectral qui permet d’obtenir des images dont chaque pixel correspond à un spectre. Son grand champ de vision permet de caractériser l’homogénéité de…

Banc de caractérisation de luminescence hyperspectrale grand champ. Ce banc optique permet de caractériser des cellules photovoltaïques complètes ou chacun des matériaux qui les constituent sur une surface pouvant atteindre 18 x 18 cm². La luminescence (photoluminescence ou électroluminescence) des cellules est collectée par un filtre hyperspectral qui permet d’obtenir des images dont chaque pixel correspond à un spectre. Son grand champ de vision permet de caractériser l’homogénéité de…

Banc de caractérisation de luminescence hyperspectrale grand champ. Ce banc optique permet de caractériser des cellules photovoltaïques complètes ou chacun des matériaux qui les constituent sur une surface pouvant atteindre 18 x 18 cm². La luminescence (photoluminescence ou électroluminescence) des cellules est collectée par un filtre hyperspectral qui permet d’obtenir des images dont chaque pixel correspond à un spectre. Son grand champ de vision permet de caractériser l’homogénéité de…

Bâti de dépôt de couche mince par épitaxie par jet moléculaire (MBE). L'épitaxie par jet moléculaire (ou Molecular Beam Epitaxy) requiert un appareil ou bâti spécifique pour obtenir un vide poussé (de 10-8 à 10-12 Torr, soit une pression équivalente à un milliardième de milliardième de celle de l'atmosphère terrestre). Elle est utilisée pour la croissance de couches minces de matériaux III-V (semiconducteurs composés des éléments de la colonne III et de la colonne V du tableau périodique,) dans…

Bâti de dépôt de couche mince par épitaxie par jet moléculaire (MBE). L'épitaxie par jet moléculaire (ou Molecular Beam Epitaxy) requiert un appareil ou bâti spécifique pour obtenir un vide poussé (de 10-8 à 10-12 Torr, soit une pression équivalente à un milliardième de milliardième de celle de l'atmosphère terrestre). Elle est utilisée pour la croissance de couches minces de matériaux III-V (semiconducteurs composés des éléments de la colonne III et de la colonne V du tableau périodique,) dans…

Salle blanche de l’Institut photovoltaïque d’Ile-de-France (IPVF). Le bâti d'épitaxie par jet moléculaire (MBE ou Molecular Beam Epitaxy), à droite, bénéficie d'un laboratoire dédié d'une superficie de 60 m² parmi les 3500 m² de salles blanches disponibles avec les utilités spécifiques nécessaires à son bon fonctionnement (azote liquide, refroidissement, courant secouru, etc.). Ce bâti permet de produire des cellules solaires multijonctions, qui convertissent de manière très efficace l’énergie…

Introduction de wafers (plaque très fine) de silicium dans un bâti de dépôt de couches minces en phase vapeur assisté par plasma (PECVD, ou Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition). Le réacteur comporte un sas de chargement et de déchargement permettant de traiter jusqu'à 20 plaques. Il est destiné au dépôt de couches minces de silicium amorphe (c’est-à-dire un matériau où les atomes de silicium sont désordonnés, en opposition au silicium cristallin) hydrogéné dopé ou non dopé permettant une…

Introduction de wafers (plaque très fine) de silicium dans un bâti de dépôt de couches minces en phase vapeur assisté par plasma (PECVD, ou Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition). Le réacteur comporte un sas de chargement et de déchargement permettant de traiter jusqu'à 20 plaques. Il est destiné au dépôt de couches minces de silicium amorphe (c’est-à-dire un matériau où les atomes de silicium sont désordonnés, en opposition au silicium cristallin) hydrogéné dopé ou non dopé permettant une…

Introduction de wafers (plaque très fine) de silicium dans un bâti de dépôt de couches minces en phase vapeur assisté par plasma (PECVD, ou Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition). Le réacteur comporte un sas de chargement et de déchargement permettant de traiter jusqu'à 20 plaques. Il est destiné au dépôt de couches minces de silicium amorphe (c’est-à-dire un matériau où les atomes de silicium sont désordonnés, en opposition au silicium cristallin) hydrogéné dopé ou non dopé permettant une…

Introduction de wafers (plaque très fine) de silicium dans un bâti de dépôt de couches minces en phase vapeur assisté par plasma (PECVD, ou Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition). Le réacteur comporte un sas de chargement et de déchargement permettant de traiter jusqu'à 20 plaques. Il est destiné au dépôt de couches minces de silicium amorphe (c’est-à-dire un matériau où les atomes de silicium sont désordonnés, en opposition au silicium cristallin) hydrogéné dopé ou non dopé permettant une…

Bâti de dépôt de couches minces en phase vapeur assisté par plasma (PECVD ou Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) constitué d'une chambre centrale permettant le transfert des plaquettes de silicium depuis le sas de chargement vers une des chambres de dépôt située en périphérie. Chaque chambre de dépôt est dédiée à un type de matériau : silicium amorphe hydrogéné intrinsèque, dopé type N, dopé type P, couches diélectriques (a-SiOx et a-SiNx:H). Les propriétés des couches minces déposées…

Discussions autour d’un bâti de dépôt de couches minces en phase vapeur assisté par plasma (PECVD ou Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition). Le réacteur comporte un sas de chargement et de déchargement permettant de traiter jusqu'à 20 plaques. Il est destiné au dépôt de couches minces de silicium amorphe (c’est-à-dire un matériau où les atomes de silicium sont désordonnés, en opposition au silicium cristallin) hydrogéné dopé ou non dopé permettant une parfaite passivation (c’est-à-dire la…

Opération de maintenance sur un panneau photovoltaïque en toiture de l’Institut photovoltaïque d’Ile-de-France (IPVF).

Détail d'un panneau photovoltaïque en toiture de l’Institut photovoltaïque d’Ile-de-France (IPVF). Différents éléments peuvent détériorer le rendement des panneaux solaires dans leur environnement opérationnel. C'est le cas par exemple d'impacts de grêle comme celui-ci. L'IPVF dispose de nombreux équipements permettant d'évaluer et d'analyser les pertes dues à ce type d'événement.

Détail d'un panneau photovoltaïque en toiture de l’Institut photovoltaïque d’Ile-de-France (IPVF). Les cellules solaires sont interconnectées et encapsulées dans un panneau photovoltaïque. Différents éléments peuvent détériorer le rendement des panneaux solaires dans leur environnement opérationnel. Un dépôt de poussière est visible en surface du module, pouvant impacter ses performances. L'IPVF dispose de nombreux équipements permettant d'évaluer et d'analyser les baisses de performance liées…

Installation photovoltaïque sur la toiture de l’Institut photovoltaïque d’Ile-de-France (IPVF). Ces panneaux solaires photovoltaïques sont utilisés pour convertir l'énergie solaire en énergie électrique.

Installation photovoltaïque sur la toiture de l’Institut photovoltaïque d’Ile-de-France (IPVF). Ces panneaux solaires photovoltaïques sont utilisés pour convertir l'énergie solaire en énergie électrique.

Installation photovoltaïque sur la toiture de l’Institut photovoltaïque d’Ile-de-France (IPVF). Ces panneaux solaires photovoltaïques sont utilisés pour convertir l'énergie solaire en énergie électrique.

Installation photovoltaïque sur la toiture de l’Institut photovoltaïque d’Ile-de-France (IPVF). Ces panneaux photovoltaïques sont utilisés pour la conversion d'énergie solaire. D'une puissance crête, puissance maximale possible, de 14 kWc, cette installation contribue à la production d'électricité verte directement sur site. L'électricité produite est utilisée en autoconsommation.

Transfert d’un substrat du sas d’introduction vers la chambre de dépôt de couches minces par coévaporation sous ultravide. Cette chambre est destinée au dépôt d’alliages de type CIGS (cuivre-indium-gallium-soufre-sélenium) pour la fabrication du matériau absorbeur de cellules solaires de type CIGS.

Transfert d’un substrat du sas d’introduction vers la chambre de dépôt de couches minces par coévaporation sous ultravide. Cette chambre est destinée au dépôt d’alliages de type CIGS (cuivre-indium-gallium-soufre-sélenium) pour la fabrication du matériau absorbeur de cellules solaires de type CIGS.

Transfert d’un substrat du sas d’introduction vers la chambre de dépôt de couches minces par coévaporation sous ultravide. Cette chambre est destinée au dépôt d’alliages de type CIGS (cuivre-indium-gallium-soufre-sélenium) pour la fabrication du matériau absorbeur de cellules solaires de type CIGS.

Transfert d’un substrat du sas d’introduction vers la chambre de dépôt de couches minces par coévaporation sous ultravide. Cette chambre est destinée au dépôt d’alliages de type CIGS (cuivre-indium-gallium-soufre-sélenium) pour la fabrication du matériau absorbeur de cellules solaires de type CIGS.