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Référence
20220116_0102
Rinçage de substrats verre couverts de molybdène après électrodépôt de couches minces de Cu, In et Ga
Étape de rinçage de substrats de verre couverts de molybdène après électrodépôt de couches minces de cuivre (Cu), indium (In) et gallium (Ga). Cette technique est basée sur la réduction de cations métalliques en solution. Ici, les cuves sont optimisées pour le dépôt d’alliages de type CIG (cuivre-indium-gallium), précurseur du matériau absorbeur de cellules solaires de type CIGS (cuivre-indium-gallium-soufre-sélénium), à l’échelle pré-industrielle.
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