Production year
2017
© Cyril FRESILLON / C2N / CNRS Images
20180004_0020
Transfert d'un échantillon sous ultravide dans un bâti d'épitaxie par jets moléculaires (MBE : Molecular Beam Epitaxy). L'échantillon est désoxydé sous ultravide dans une première enceinte. Il est ensuite transféré dans la chambre de croissance pour l'élaboration de composés semiconducteurs III-V à partir de sources solides. Il peut également être observé par microscopie à effet tunnel sous ultravide (STM : Scanning Tunneling Microscopy) sans contamination à l'air. PlatefOrme Élaboration des Matériaux (POEM) du C2N.
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2017
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