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Reference
20120001_0090
Image de synthèse d'une hétérostructure de semiconducteurs III-V, accessible à la pointe d'un micros
Image de synthèse d'une hétérostructure de semiconducteurs III-V, accessible à la pointe d'un microscope à effet tunnel dans le plan cristallographique (110), suite au clivage de l'échantillon. Cette hétérostructure est constituée de boîtes quantiques d'arséniure d'indium, qui reposent sur des couches de mouillage (quelques plans atomiques d'atomes rouges et blancs) et qui sont séparées par plusieurs plans atomiques d'arséniure de gallium (atomes rouges et verts). La boîte au premier plan apparaît légèrement bombée et en raison de la relaxation de la contrainte lors du clivage.
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