
© Alexis CHEZIERE/CNRS Images
Chargement d'une plaquette de semiconducteurs dans la chambre de croissance d'un réacteur d'épitaxie
Reference
20060001_0291
Production year
2006
Max. size
16.96 x 25.04 cm / 300 dpi
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Chargement d'une plaquette de semiconducteurs dans la chambre de croissance d'un réacteur d'épitaxie en phase vapeur. L'objectif est d'obtenir de nouveaux matériaux semiconducteurs pour la réalisation de sources laser qui émettent dans une gamme UV et pour les composants optoélectroniques dans la gamme de longueur d'onde UV.