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Reference
20050001_1714
Réseau gravé (environ 15 µm) dans une hétérojonction GaAlAs-GaAs (gallium aluminium arsenide-arséniu
Réseau gravé (environ 15 µm) dans une hétérojonction GaAlAs-GaAs (gallium aluminium arsenide-arséniure de gallium) qui induit la localisation des électrons par effet d'interférence quantique. Les effets de cohérences quantiques dans ce réseau à la topologie particulière font que si on impose un demi quantum de flux dans chaque cellule, la conductance est fortement diminuée. Cet effet se traduit par l'apparition d'oscillations périodiques de la conductance en fonction du flux magnétique. A titre de comparaison, un réseau carré de même taille ne montre pas d'oscillation.
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