Constitué d'arséniure de gallium (GaAs), ce "nanomur" semi-conducteur de 100 nm d'épaisseur et de 3

Constitué d'arséniure de gallium (GaAs), ce "nanomur" semi-conducteur de 100 nm d'épaisseur et de 3 µm de hauteur a atteint les limites de réduction de ses dimensions et s'est désintégré en filaments. Par rapport aux semi-conducteurs classiques, principalement utilisés en micro-électronique, les semi-conducteurs d'arséniure de gallium ont la capacité de confiner et de conduire la lumière. Ils sont utilisés pour concevoir et produire des sources optiques ultra-compactes dans le proche et le moyen infrarouge. Collaboration d'équipes de recherche française et québécoise au sein du LIA-LN2 (Laboratoire International Associé en Nanotechnologies et Nanosystèmes).