Année de production
2007
© Hubert RAGUET / CNRS Images
20070001_1361
Réacteur d'épitaxie par ablation laser pulsée. Le matériau à déposer est vaporisé par un laser de puissance pulsé et recueilli sur un substrat. Ce réacteur est utilisé pour la croissance de films et hétérostructures d'oxydes.
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2007
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