Année de production
2005
© Jérôme CHATIN/CNRS Images
20050001_0368
Bâti de dépôt de films minces diélectriques par pulvérisation cathodique radio fréquence magnétron : SiC, Si3N4, Al2O 3, SiO2, TiO2, AlN. Ce bâti permet par exemple de fabriquer des membranes ultrafines (100nm d'épaisseur) en SiC (carbure de silicium).
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2005
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