Bâti de dépôt de couche mince par épitaxie par jet moléculaire (MBE)

Bâti de dépôt de couche mince par épitaxie par jet moléculaire (MBE). L'épitaxie par jet moléculaire (ou Molecular Beam Epitaxy) requiert un appareil ou bâti spécifique pour obtenir un vide poussé (de 10-8 à 10-12 Torr, soit une pression équivalente à un milliardième de milliardième de celle de l'atmosphère terrestre). Elle est utilisée pour la croissance de couches minces de matériaux III-V (semiconducteurs composés des éléments de la colonne III et de la colonne V du tableau périodique,) dans une chambre, et silicium et germanium dans une autre. Cette technologie permet de fabriquer des cellules solaires superposées directement les unes sur les autres (cellules multijonctions) pour mieux absorber le spectre lumineux et accéder ainsi à de très hauts rendements.