20090001_1221

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Référence

20090001_1221

Ingénieur de recherche présentant une couche de 200 nm de nitrure d'aluminium sur substrat silicium

Ingénieur de recherche présentant une couche de 200 nm de nitrure d'aluminium sur substrat silicium 4 pouces, réalisée dans un réacteur d'épitaxie en phase vapeur d'organo-métalliques (réacteur EPVOM en arrière plan).

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