Année de production
2005
© Jérôme CHATIN/CNRS Images
Référence
20050001_0386
Préparation d'un substrat de GaAs (arséniure de gallium) pour la croissance par épitaxie par jets mo
Préparation d'un substrat de GaAs (arséniure de gallium) pour la croissance par épitaxie par jets moléculaires (EJM) sous ultra-vide. Cette technique permet de déposer sur ce substrat de fines couches semiconductrices avec une précision de quelques plans atomiques (de l'ordre du nanomètre).
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