Production year
2005
© Jérôme CHATIN/CNRS Images
Reference
20050001_0386
Préparation d'un substrat de GaAs (arséniure de gallium) pour la croissance par épitaxie par jets mo
Préparation d'un substrat de GaAs (arséniure de gallium) pour la croissance par épitaxie par jets moléculaires (EJM) sous ultra-vide. Cette technique permet de déposer sur ce substrat de fines couches semiconductrices avec une précision de quelques plans atomiques (de l'ordre du nanomètre).
Add to my selection
Terms of use
The use of media visible on the CNRS Images Platform can be granted on request. Any reproduction or representation is forbidden without prior authorization from CNRS Images (except for resources under Creative Commons license).
No modification of an image may be made without the prior consent of CNRS Images.
No use of an image for advertising purposes or distribution to a third party may be made without the prior agreement of CNRS Images.
For more information, please consult our general conditions
