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Reference
20220116_0040
Transfert d’un substrat vers la chambre de dépôt de couches minces par coévaporation sous ultravide
Transfert d’un substrat du sas d’introduction vers la chambre de dépôt de couches minces par coévaporation sous ultravide. Cette chambre est destinée au dépôt d’alliages de type CIGS (cuivre-indium-gallium-soufre-sélenium) pour la fabrication du matériau absorbeur de cellules solaires de type CIGS.
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