Installation d'un échantillon dans le sas d'un équipement de gravure ionique par faisceau d'ions

Installation d'un échantillon dans le sas d'un équipement de gravure ionique par faisceau d'ions (IBE) argon et oxygène, pour réaliser une gravure multicouche de matériaux d'épaisseurs nanométriques. Le porte-échantillon est refroidi par circulation d'eau. Cet équipement permet de graver, de manière non sélective et atome par atome, une succession de fines couches (nm) de matériaux (métal, isolant, polymère) et de s'arrêter précisément dans une couche, grâce à l'assistance d'un spectromètre de masse d'ions secondaires (SIMS). Un des intérêts de cette technique consiste à graver jusqu'à une barrière tunnel pour les applications nanomagnétiques.