Gravure d'un échantillon par un équipement de gravure IBE grâce à un SIMS

Gravure d'un échantillon par un équipement de gravure ionique par faisceau d'ions argon et oxygène (IBE 4Wave), grâce à un spectromètre de masse d'ions secondaires (SIMS). Le premier permet de graver, de manière non sélective et atome par atome, une succession de fines couches (nm) de matériaux (métal, isolant, polymère) et de s'arrêter précisément dans une couche, grâce à l'assistance du SIMS. Sur l'écran, chaque courbe représente la concentration en ions secondaires collectés d'un matériau au cours de la gravure de l'échantillon. L'évolution des courbes permet de savoir précisément quel matériau est en cours de gravure. Dans l'ouverture de l'équipement de gravure IBE (à gauche), on observe un plasma d'ions Argon issu de la source d'ions RF ICP de 12 cm de diamètre. Un des intérêts de cette technique consiste à graver jusqu'à une barrière tunnel pour les applications nanomagnétiques.