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Reference
20120001_0514
Vue en coupe d'une diode laser à cavité Fabry-Perot, observée au microscope électronique à balayage.
Vue en coupe d'une diode laser à cavité Fabry-Perot, observée au microscope électronique à balayage. Ce sont des couches de matériaux III-V déposées par épitaxie par jets moléculaires (EJM) sur substrat de silicium. L'objectif est de créer des composants optoélectroniques sur substrats de silicium par des techniques d'hétéroépitaxie, de les intégrer avec la photonique silicium pour les transmissions optiques télécoms ou l'analyse de gaz.
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