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Reference
20100001_0097
Morceau de semi-conducteur en arséniure de gallium (GaAs) de 3 µm d'épaisseur, flottant dans une pet
Morceau de semi-conducteur en arséniure de gallium (GaAs) de 3 µm d'épaisseur, flottant dans une petite goutte d'eau. Ces morceaux sont utilisés pour un "assemblage fluidique" original des microsystèmes dits MEMS (micro-electro-mechanical systems) développés au sein de l'IEMN. L'approche "assemblage" est l'opposée de l'approche "monolithique et planaire" actuelle qui est utilisée pour fabriquer les circuits intégrés. Cette technique permet de réaliser une sonde hybride de type "injecteur de spin". Une application de ces sondes serait, en collaboration avec le Laboratoire de physique de la matière condensée de l'Ecole Polytechnique de Paris, l'imagerie des surfaces nanomagnétiques encore peu connue .
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