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Reference
20050001_0597
Structure cristalline d'une "boîte" quantique d'arséniure d'indium (InAs) épitaxiée sur un substrat
Structure cristalline d'une "boîte" quantique d'arséniure d'indium (InAs) épitaxiée sur un substrat d'arséniure de gallium (GaAs), en forme de lentille aplatie, insérée au coeur d'une matrice de semi-conducteurs. La boîte quantique, dans laquelle sont confinés les électrons libres du semi-conducteur, est en forme de lentille aplatie et repose sur une couche de mouillage de deux monocouches d'épaisseurs. La hauteur de la lentille est de 3,5 nm et son diamètre à la base de 25 nm. Les atomes d'indium (In) sont représentés en blanc, ceux de gallium (Ga) en marron et les atomes d'arsenic (As), communs entre la boîte quantique et sa matrice environnante, sont représentés en vert.
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