Introduction de wafers de silicium dans un bâti de dépôt de couches minces par PECVD

Introduction de wafers (plaque très fine) de silicium dans un bâti de dépôt de couches minces en phase vapeur assisté par plasma (PECVD, ou Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition). Le réacteur comporte un sas de chargement et de déchargement permettant de traiter jusqu'à 20 plaques. Il est destiné au dépôt de couches minces de silicium amorphe (c’est-à-dire un matériau où les atomes de silicium sont désordonnés, en opposition au silicium cristallin) hydrogéné dopé ou non dopé permettant une parfaite passivation (c’est-à-dire la suppression des défauts) de la surface du silicium cristallin et la réalisation de cellules solaires à hétérojonction. Le réacteur permet aussi le dépôt de couches diélectriques (oxydes et nitrures de silicium) utilisées comme couches de passivation et anti-reflet. Les propriétés des couches minces déposées sont contrôlées par la nature des précurseurs chimiques, les paramètres du plasma et la température.