Champ de déplacement autour d'une dislocation mesuré dans un matériau cristallin (silicium pur). Cet

Champ de déplacement autour d'une dislocation mesuré dans un matériau cristallin (silicium pur). Cette expérience vérifie, à l'échelle nanométrique, la théorie élastique anisotrope : à une distance de quelques nanomètres du coeur de la dislocation, le cristal se déforme différemment selon les directions cristallographiques distinctes. A gauche, les déplacements mesurés expérimentalement par microscopie électronique en transmission à haute résolution, avec une précision de 3 pm ; à droite, les déplacements calculés à partir de la théorie élastique.