© Marc COUSINEAU/LAPLACE/CNRS Images
Référence
20180009_0005
Transistor à effet de champ à grille isolée d’un circuit Driver
Transistor à effet de champ à grille isolée (MOSFET) d’un circuit Driver réalisé dans une technologie submicromètreique (inférieure à un micromètre) 50V (laboratoire LAPLACE). Ce type de composant permet de commuter des courants élevés (1 à 3 A) à des vitesses inférieures à la nanoseconde dans le but de piloter un transistor bipolaire à grille isolée (IGBT) nécessaire à la réalisation de convertisseurs statiques.
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