Échantillon composé de diodes et de transistors MOS mis en place dans une station sous pointes

Échantillon composé de diodes et de transistors MOS mis en place dans une station sous pointes pour la caractérisation de composants électroniques sur wafer (encore sur plaque de silicium). Elle permet d’appliquer, grâce à 5 pointes électriques et une pointe optique, différents stimuli à l’échantillon en cours de test. La capacité à conduire le courant, la tenue en tension, les capacités parasites, les courants de fuites et les paramètres thermosensibles sont les principales mesures réalisées sur les échantillons. La station offre une grande dynamique sur la température avec la possibilité d’effectuer des caractérisations de -200 °C à +400 °C sous un vide secondaire. Elle est associée à un traceur électronique, ce qui permet d’appliquer à l’échantillon en cours de test, des tensions de plus de 3 000 volts ou des courants d’une vingtaine d’ampères.