Gravure d'un échantillon par un équipement de gravure IBE grâce à un SIMS

Suivi de la gravure d'un échantillon, réalisée à l'intérieur d'un équipement de gravure ionique par faisceau d'ions argon, oxygène (IBE 4Wave), à l'aide d'un spectromètre de masse d'ions secondaires (SIMS). L'IBE permet de graver, de manière non sélective et atome par atome, une succession de fines couches (nm) de matériaux (métal, isolant, polymère) et de s'arrêter précisément dans une couche, grâce à l'assistance du SIMS. Sur l'écran, chaque courbe représente la concentration en ions secondaires collectés d'un matériau au cours de la gravure de l'échantillon. L'évolution des courbes permet de savoir précisément quel matériau est en cours de gravure. Un des intérêts de cette technique consiste à graver jusqu'à une barrière tunnel pour les applications nanomagnétiques.