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20180004_0024
© Cyril FRESILLON / C2N / CNRS Photothèque

Échantillon transféré d'un bâti d'épitaxie par jets moléculaires à un microscope à effet tunnel

Reference

20180004_0024

Production year

2017

Max. size

27.77 x 41.72 cm / 300 dpi

Caption

Transfert d'un échantillon depuis un bâti d'épitaxie par jets moléculaires (MBE : Molecular Beam epitaxy) vers un microscope à effet tunnel (STM : Scanning Tunneling Microscopy) pour étudier les conditions de croissance après transfert sous ultravide. L'épitaxie par jets moléculaires permet de réaliser des couches minces épitaxiées sur des monocristaux. Ce réacteur est équipé de huit sources de matériaux élémentaires (gallium, aluminium, indium, arsenic, silicium, carbone) et d'un ensemble de pompage particulièrement soigné. Il est dédié à l'élaboration d'hétérostructures à base de semiconducteurs III-V avec des propriétés électroniques performantes en termes de densité et de mobilité électronique. Les échantillons ainsi réalisés servent à élaborer des nanostructures ou dispositifs (transistors...) pour la physique mésoscopique et la photonique. PlatefOrme Élaboration des Matériaux (POEM) du C2N.

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