Production year
2002
© Laurence MEDARD/CNRS Images
Reference
20020001_0729
Plasma d'azote pour implantation ionique par immersion plasma ; au centre du réacteur, le porte subs
Plasma d'azote pour implantation ionique par immersion plasma ; au centre du réacteur, le porte substrat porté à haute tension négative (impulsions) permet l'implantation sur des objets de 150 mm de diamètre. Génie des réacteurs plasma basse pression excités à la Résonance Cyclotronique Electronique (RCE) à 2,45 GHz pour application aux traitements de surface : dépôts de couches métalliques par pulvérisation assistée par plasma, implantation ionique, gravure...
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