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Reference
20220116_0031
Bâti de dépôt de couches minces par PECVD
Bâti de dépôt de couches minces en phase vapeur assisté par plasma (PECVD ou Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) constitué d'une chambre centrale permettant le transfert des plaquettes de silicium depuis le sas de chargement vers une des chambres de dépôt située en périphérie. Chaque chambre de dépôt est dédiée à un type de matériau : silicium amorphe hydrogéné intrinsèque, dopé type N, dopé type P, couches diélectriques (a-SiOx et a-SiNx:H). Les propriétés des couches minces déposées sont contrôlées par la nature des précurseurs chimiques, les paramètres du plasma et la température. Ce bâti est destiné à la réalisation de cellules solaires dites hétérojonction à base de silicium cristallin.
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