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Reference
20150001_0513
Bâti d'épitaxie en phase vapeur de couche mince de silicium
Bâti d'épitaxie en phase vapeur, utilisé pour la croissance de couche mince de silicium. Les chercheurs tentent ainsi d'améliorer les cellules photovoltaïques en silicium cristallin et de mettre au point des cellules en couches minces et ultra-minces de silicium monocristallin. Ils associent des concepts innovants à base de nanostructures et d'ingénierie photonique. Leur objectif est également d'atteindre de hauts rendements pour l'intégration monolithique à bas coût de certaines cellules photovoltaïques.
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