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Réacteur de dépôt en phase vapeur utilisé pour la fabrication du diamant. Le méthane, source de carbone, et l'hydrogène, catalyseur du dépôt, sont rendus réactifs par un plasma micro-ondes. Sous faible pression (50 mbar) et haute température (800-900 °C) des couches minces de diamant sont alors synthétisées à des vitesses de l'ordre du micromètre par heure. Le diamant est un semiconducteur très prometteur pour les prochaines générations de composants électroniques et de détecteurs. Ce réacteur permet en particulier d'introduire dans le diamant pendant sa fabrication, des impuretés par l'intermédiaire de composés organométalliques. Le diamant "dopé" devient alors conducteur électrique.
