Cluster-tool d'épitaxie par faisceaux chimiques

Cluster-tool d'épitaxie par faisceaux chimiques (CBE : Chemical Beam Epitaxy) de l'équipe HETERNA du Centre de nanosciences et de nanotechnologies (C2N). Cet équipement réalisé en interne permet la croissance des matériaux IV-IV et III-V sur des substrats (wafers) de 4 pouces et 8 pouces. Cette installation est composée de 4 différentes chambres : un sas d'introduction pouvant contenir 5 wafers (de 4" ou 8 ''), deux chambres de croissance CBE et une chambre utilisée pour les caractérisations in situ. Une des chambres de croissance est réservée spécifiquement aux matériaux IV-IV et l'autre combine les matériaux IV-IV et les III-V. La chambre de caractérisation in situ comprend un spectromètre électronique, un canon à électrons focalisé pour la microscopie électronique à balayage et la microscopie Auger et une source de rayons X permettant de réaliser des mesures de spectroscopie de photoélectrons (XPS) résolue en angle. PlatefOrme Élaboration des Matériaux (POEM) du C2N.