Gravure par plasma réactif. Introduction d'un échantillon de silicium dans le réacteur plasma de typ

Gravure par plasma réactif. Introduction d'un échantillon de silicium dans le réacteur plasma de type PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition). Typiquement, les épaisseurs déposées vont de quelques nanomètres à quelques micromètres. Les molécules du gaz précurseur sont dissociées en diverses espèces (radicaux, ions...) pour former un plasma : cet état est considéré comme le 4ème état de la matière et existe à l'état naturel (aurore boréale...). Ce réacteur permet de réaliser des dépôts amorphes de type polymériques. Création de revêtement fluorocarbonés, connu pour ses propriétés anti-adhérentes.