Intérieur d'une chambre de caractérisation sous vide haute tension

Intérieur d'une chambre de caractérisation sous vide haute tension servant à connaître les caractéristiques, notamment la tension maximale, des transistors bipolaires en carbure de silicium (SiC). Des puces semi-conductrices nues (non encapsulées), sont placées sur un support de substrats au centre. Les trois bras porte-pointe, commandés par des micromanipulateurs, permettent de réaliser des déplacements micrométriques (horizontaux et verticaux) dans l'enceinte lors des mesures et des caractérisations électriques sous vide. Le projet HV-PhotoSw a permis la conception, la fabrication et la caractérisation d’un transistor bipolaire en carbure de silicium (SiC). Il permet de supporter une tension maximale de 10 kV (kilovolts) et commandable par un faisceau optique pour éviter tous les problèmes d’isolation électrique du côté de la commande. Les transistors bipolaires en carbure de silicium (SiC) à commande optique offrent ainsi, contrairement aux transistors conventionnels en silicium (Si), des performances supérieures à des températures élevées et une meilleure résistance aux fortes tensions.

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Ces recherches ont été financées en tout ou partie, par l’Agence Nationale de la Recherche (ANR) au titre du projet ANR- HV-PhotoSw-AAPG2018. Ce reportage a été réalisé et financé dans le cadre de l’appel à projet Sciences Avec et Pour la Société - Culture Scientifique Technique et Industrielle pour les projets JCJC et PPRC des appels à projets génériques 2018-2019 (SAPS-CSTI-JCJ et PRC AAPG 18/19).